ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СИЛИКАТНОГО СТЕКЛА, ДИФФУЗИРОВАННОГО С RuO₂

  • Avazbek DEXQONOV Gulmurza ABDURAXMONOV O‘zMU Fizika fakulteti tayanch doktoranti, O‘zMU Fizika fakulteti proffessori
DOI: https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.2.1.5795
Ключевые слова: зона диффузии, свинцово-силикатное стекло, диоксид рутения, удельное сопротивление, термоЭДС, теория перколяции, нанокристаллы, структурные переходы, бесконечный кластер.

Аннотация

В данной статье рассматриваются процессы диффузии, диффузионные зоны, теория перколяции, энергии активации и их анализ на основе результатов диффузии оксидов металлов, главным образом RuO₂, в свинцово-силикатное стекло при различных условиях. Легирование силикатного стекла приводит к значительным изменениям всех его физических параметров. Полученные результаты могут открыть новые перспективы в разработке толстопленочных резисторов, различных тензодатчиков и доступных термоэлектрических материалов. Физика этого процесса детально исследована в рамках данной работы.

Литература

Aburakhmanov G., Amanov Sh. High voltage ceramic isolators with resistive layer for potential linearizing// Proceedings 7- ISAM, September 2001. – Islamabad (Pakistan), 2001.-рp. 84-89.

Абдурахманов Г., Абдурахманова Н.Г., Вахидова Г.С. О состоянии частиц двуокиси рутения в толстопленочных резисторах // Фундаментальные и прикладные вопросы физики: Материалы международной конференции. - Ташкент, 2006. - С. 331-335.

Абдурахманов Г. Влияние диффузии на порог протекания в толстопленочных резисторах // Uzbek Journal of Physics. – Tashkent, 2009. – vol. 11, N 3. - pp. 207-211.

Абдурахманов Г., Вахидова Г. С. Диффузия и электропроводность в толстопленочных резисторах // ДАН РУз - Ташкент, 1995. - №1. – С. 19-21.

Абдурахманов Г., Вахидова Г. С. Диффузия и электропроводность в толстопленочных резисторах // ЖТФ. – С.-Петербург, 1995. - Т. 65, в.7. – С. 187-190.

Займан Дж. Модели беспорядка. Пер. с англ. – М.: Мир, 1982. – 592 с.

Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эсер Б.-М. Электронная теория неупорядоченных полупроводников / Под ред. В. Л. Бонч-Бруевича - М.: Наука, 1981. – 384 с.

Шкловский Б.И., Эфрос А.А. Электронные свойства легированных полупроводников. – М.: Наука, 1979. – 416 с.

Мотт Н., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2-х т. Пер. с англ. – М.: Мир, 1982. – 664 с.

Abdurakhmanov G., Vakhidova G. Diffusion of RuO2 and PbRuO3 into Lead Silicate Glasses // MRS Fall Meeting, Boston, USA, 27 November - 1 December 1995.

[11]. Донован Р. П., Смит А. М., Бэрри Б. М. Окисление, диффузия, эпитаксия / Под ред. Бургера Р. и Донована Р. Пер. с англ. – М.: Мир, 1969. – 451 с.

Lee J., West R.W. Firing studies with model thick film resistor systems // IEEE Trans. Comp. Hybrids and Manufact. Technol. – Urbana (IL, USA), 1983. – vol. CHMT-6, N 4. - pp. 430-435.

Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. Пер. с нем. - М.: Мир, 1986. – 558 с.

Опубликован
2025-01-31
Как цитировать
Gulmurza ABDURAXMONOV, A. D. (2025). ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СИЛИКАТНОГО СТЕКЛА, ДИФФУЗИРОВАННОГО С RuO₂ . Вестник УзМУ, 3(3.2.1), 470-473. https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.2.1.5795
Выпуск
Том 3 № 3.2.1 (2024): O'zMU XABARLARI (3.2.1 SONI) 2024 TABIIY FANLAR
Раздел
Статьи

Copyright (c) 2025 Вестник УзМУ

Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.