Tabiiy fanlar

МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОВЕРХНОСТНОЙ ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ CdS/Si(p) ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И МАГНИТНОГО ПОЛЯ

гетероструктура, фотоэлектрический преобразователь, глубокие уровни, вольт-фарадные характеристики, поверхностные состояния, магнитное поле.

Авторы

В данной статье исследованы физические свойства поверхности материала CdS/Si(p). Применена зависимость
плотности поверхностных состояний полупроводника Si(p) p-типа от магнитного поля. Впервые разработана
математическая модель, определяющая влияние температуры и магнитного поля на плотность поверхностных
состояний полупроводника.