Si+ IONLARINI IMPLANTATSIYA QILISH NATIJASIDA Mo DA HOSIL QILINGAN YUPQA MoSi2 PLYONKALARINING TARKIBI, TUZILISHI VA XOSSALARI
Впервые методом имплантации ионов Si+ в Мо с энергиями от 1 кэВ до 5 кэВ получены однородные пленки МоSi2 с
варьируемой толщиной в пределах 25-100Å. Изучены состав, электронная и кристаллическая структура этих пленок.
Установлено, что поликристаллическая пленка МоSi2 является полупроводником n- типа с шириной запрещенной зоны
Еg=0.75 эВ. В валентной зоне МоSi2 имеются три максимума. Пленка МоSi2 толщиной ~ 90 - 100Å практически полностью
предотвращает проникновение О2 в Мо до температуры 1200К.
1. High Temperature Structural Silicides// Proc.of the First High Temperature Structural Silicides Workshop, USA, 1991 –
Elsevier Sci.Publ., Amsterdam, 1992.- 278 Pp
2. Е. П., Нечипоренко, А.П., Петриченко Ю.Б., Павленко// Защита металлов от коррозии.- Харьков: Вища школа,1985.-
112С
3. С.В. Литовченко , В.М. Береснев, А.А. Дробышевская, П.В. Турбин // Силицидные покрытия на молибдене:
получение структура, свойства / Физическая инженерия поверхности. - 2012. - Т. 10, № 2. - С. 110–137. - Бібліогр.:
65 назв. - рос.
4. http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98941
5. Ю.А. Петухов., Н.Т. Квасов., В.В. Углов., В.М. Асташинский А. М. Кузьмицкий // Структура и фазовый состав
системы молибден- кремний, обработанной компрессионными плазменными потоками / Доклады Белорусского
государственного университета информатики и радиоэлектроники 2011 № 1 (55) С. 31-37
potokam
7. Ivanenko L.I., Shaposhnikov V.L., Filonov A.B., et al. // Thin solid films. 2004. Vol. 461. P. 141-147.
8. Galkin N.G., Chusovitin E.A., Goroshko D.L. et al. // Journal of Physics D: Applied Physics. 2007. Vol. 40, №17. P. 5319.
9. Esconjauregui S., Whelan C.M., Maex K. // Nanotechnology. 2007. Vol. 18. P. 015602.
10. Iriarte G.F. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. Vol. 356. P. 1135-1144.
11. Legagneux P., Pribat D, Nedellec Y. // US Patent 7491269. 2009.
12. Chen L.J. // JOM. 2004. Vol. 57, № 9. P. 24-31.
13. Qiuyu Chena , Shuhua Lianga,, Bingxue Lia , Zheng Chena,, Xiaoyan Songc, Longchao Zhuoa// Versionof Record: 2021
published by Elsevier. This manuscript is made available under the Elsevier user license https://www.elsevier.com/openaccess/
userlicense/1.0/
14. Кong Yakang , Cheng Wang , Xiancong Chen, Yi Qu , Jiabo Yu, Haijuan Ju and Xiao Yilei // Submission received: 6 July
2023 / Revised: 25 July 2023 / Accepted: 26 July 2023 / Published: 7 August 2023
15. https://doi.org/10.3390/ma16155495
16. Mi Zhao, Wei Ye, Mengyuan Zhu, Yuteng Gui, Wei Guo, Shusen Wu and Youwei Yan// Submission received: 7 October
2022 / Revised: 4 November 2022 / Accepted: 11 December 2022 / Published: 20 December 2022
17. https://doi.org/10.3390/ma16010003
18. Lu Wang, Meng-Chao Li, Guo-Hua Zhang, and Zheng-Liang Xue// Published by De Gruyter November 30, 2020
19. https://doi.org/10.1515/htmp-2020-0093
20. Nikolai V. Alov// physica status solidi 09 February 2015 - Wiley Online Library
21. https://doi.org/10.1002/pssc.201400108
22. Allayarova, G. Kh.// Journal of Surface Invesgation. 2020 Vol.14., Issue.6.,Page.,1179-1182
23. DOI:10.1134/S1027451020060026
24. Isakhanov Z. A., Mukhtarov Z. E., Umirzakov B. E., Ruzibaeva M. K. // Technical physics. Vol. 56, № 4, Page 546-549.
25. DOI: 10.1134/S1063784211040177. 2011,
26. Donaev S. B., Tashatov A. K., Umirzakov B. E. 2015, Vol. 9, № 2, Page 406- 409. DOI: 10.1134/S1027451015020263.
27. Umirzakov B.E., Imanova G.T., Bekpulatov I.R., Turapov I.K. Obtaining of thin films of manganese silicides on a Si surface
by the method of solid-phase deposition and investigation of their electronic structure. Modern Physics Letters., 2023, 37(24),
2350078.
28. Allayarova G.Kh. Tashmukhamedova, DA; Yusupjanova, MB; Umirzakov, BE// Technical physics. 2020., Vol.46. Issue.10.
Page. 972-975
29. DOI:10.1134/S1063785020100144
Copyright (c) 2026 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
