ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК СИЛИЦИДОВ MN4SI7, COSI2, FESI НА ПОВЕРХНОСТИ SI МЕТОДАМИ ОСАЖДЕНИЯ И ИЗУЧЕНИЕ ИХ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
В статье представлены закономерности формирования тонких пленок силицидов Mn4Si7, CoSi2 и FeSi при твердофазном осаждения в сочетании с отжигом. Выяснены основные механизмы оброзования, силицидов этих металлов. Изучены их электронная и кристаллическая структура, в частносты определены распределения плотности состояния валентных электронов и параметры энергетических зон.
1. Schmitt, A. L.; Zhu, L.; Schmeisser, D.; Himpsel, F. J.; Jin, S., “Metallic single-crystal CoSi nanowires via chemical vapor deposition of single-source precursor”, Journal of Physical Chemistry B 110 (37), 18142-18146 (2006).
2. Szczech J.R. and Jin S., Epitaxially-hyperbranched FeSinanowires exhibiting merohedral twinning, J. Mater. Chem., 2010, 20, p.1375-1382.
3. Higgins J.M., Schmitt A.L., Guzei I.A. and Jin S., Higher Manganese Silicide Nanowires of Nowotny Chimney Ladder Phase, J. Am. Chem.Soc., 2008, 130, p. 16086-16094.
4. Higgins J.M., Ding R.H., DeGrave J.P. and Jin S., Signature of Helimagnetic Ordering in Single-Crystal MnSi Nanowires, Nano Lett., 2010, 10, p. 1605-1610.
5. In J., Varadwaj K.S.K., Seo K., Lee S., Jo Y., Jung M.H., Kim J. and Kim B., Single-Crystalline Ferromagnetic Fe1-xCoxSi Nanowires, J. Phys. Chem. C, 2008, 112, p. 4748-4752.
6. Yongquan Qu, Jingwei Bai, Lei Liao, Rui Cheng, Yung-Chen Lin, Yu Huang, Ting Guod and Xiangfeng Duan., Synthesis and electric properties of dicobalt silicide nanobelts, Chem. Commun., 2011, 47, p. 1255–1257.
7. Mayer J.W. and Lau S.S., Electronic Materials Science for integrated circuits in Si and GaAs, Macmillan, New York (1990). p. 284
8. Kim H.S., Yun J.H., Moon K.J., Sohn W.H., Jung S.W., Jung E.J., Kim S.H., Bae N.J., Choi G.H., Kim S.T., Kim U.I., Chung U.I., Moon J.T., and Rye B.I., Investigation of Chemical Vapor Deposition (CVD)Derived Cobalt Silicidation for the Improvement of Contact Resistance, Jpn. J. Appl. Phys.(2005).44, p. 3828-3831.
9. Pokhrel A., Degregorio Z. P., Higgins J. M., Girard S. N., and Jin S., Vapor Phase Conversion Synthesis of Higher Manganese Silicide (MnSi1.75) Nanowire Arrays for Thermoelectric Applications, Chem. Mater. 2013, 25, 4, p. 632–638.
10. Naito, Nakanishi M., Machida R., Shigematsu N., Ishimaru T., Valdez M., Sickafus J. A., Nucl K. E., Instruments Methods Phys. Res. Sect. B Beam Interact., with Mater. Atoms 2012, 272, 446–449.
11. S. Caprara, E. Kulatov, and V.V. Tugushev, Erratum to: Half-metallic spin polarized electron states in the chimney-ladder higher manganese silicides MnSi1 − x (x = 1.75–1.73) with silicon vacancies, J. Eur. Phys. (2012).B 85, 149.
12. U. Gottlieb, A. Sulpice, B. Lambert-Andron, and O. Laborde, J. Alloys Compd., (2003). 361, p.13 – 18. 13. G. Zwilling, and H. Nowotny, Monatsch. Chem., 61, 8 (1986). 14. C. Krontiras, K. Pomoni, and M. Roilos, J. Phys. D 21, 509 (1998).
15. D. B. Migas, V. L. Shaposhnikov, A. B. Filonov, and V. E. Borisenko, Phys. Rev. B 77, 075205(2008).
16. С. Н. Варнаков, И. А. Яковлев, С. А. Лященко, С. Г. Овчинников, Г. В. Бондаренко. Сравнение силицидов железа, полученных методами молекулярно-лучевой и твердофазной эпитаксии. Сибирский аэрокосмический журнал, Том 11, № 4 (2010), с. 45-51.
17. I.R. Bekpulatov, V.V. Loboda, M.T. Normuradov, B.D. Donaev, I.Kh. Turapov. Formation of Mn4Si7 films by magnetron sputtering and a wide range of their thermoelectric properties. St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 2. PP.78-88. DOI: https://doi.org/10.18721/JPM.16207.
18. Isakhanov Z. A., Mukhtarov Z. E., Umirzakov B. E., Ruzibaeva M. K. / Technical physics. V.56, №4, P.546549.DOI:10.1134/S1063784211040177. 2011.
Copyright (c) 2025 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
