РАМАНОВСКИЕ СПЕКТРОСКОПИИ ПОВЕРХНОСТИ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
Отметим, что рамановской спектроскопии достоверно показали, что тонкие пленки металлов Cr, сформированные на
Si(111), содержат силицидные фазы, обладают высокой степенью кристалличности и в некоторых случаях содержат
углеродистые примеси. Это расширяет возможности использования полученных гибридных структур в дальнейших оптои наноэлектронных устройствах
1. Zaumseil, P., Kozlov, S.M., Besmehn, A. Nickel silicide contacts to silicon nanowire transistors: Formation, properties and
reliability.//Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, Vol. 56. pp. 38–46.
2. Yu-Ru Lin, Wan-Ting Tsai, Yung-Chun Wu 1 and Yu-Hsien Lin. Ultra Thin Poly-Si Nanosheet Junctionless Field-Effect
Transistor with Nickel Silicide.// Contact. Materials 2017, 10, 1276; doi:10.3390/ma10111276
3. Eshboboyev S.N., Tashatov A.K. Study Of The Process Of Formation Of Heterostructural Nanofilms MexSiy/Si And GaxMe1-
xAs/GaAs By Ion Implantation. //Journal of Physical Science, 2025, Vol. 36(1), pp.17–25.
4. Eshboboyev S., Dovranov K., Vinnichenko M., Korablev V., Normuradov M., Egamberdiyeva O. Raman and IR Spectrum
Analysis of CrSi2 Thin Films Formed in Direct Current and Variable Frequency Modes of a Magnetron Sputtering Device.
International Conference on Electrical Engineering and Photonics, EExPolytech- 2024, (2024), pp 304–307. (Scopus, IF:
N/A).
5. Eshboboev S., Ergashov Y., Tashatov A. Surface morphology and structural features of nickel silicide thin films fabricated
by ion-plasma deposition. O‘zbekiston milliy universiteti xabarlari, 2025, [3/2] ISSN 2181-7324, pp. 494-497.
6. Ташатов А.К., Мустафоева Н.М. Морфология поверхности пленок NiSi2/Si полученных методом твердофазной
эпитакции. //Тенденции развития современной физики полупроводников: проблемы, достижения и переспективы;
Сборник материалов международной онлайн конференции (www.e-science.uz); Ташкент. 2020. 92-97 с.
7. Galkin N.G, Goroshko D.L, Galkin K.N. et al. “Influence of Cr+ ion implantation and pulsed ion-beam annealing on the
formation and optical properties of Si/CrSi2/Si(111) heterostructures”.//Tech. Phys. 2010. vol. 55, no. 7, pp. 1036–1044.
8. Эшбобоев С.Н., Ташатов А.К. Создание переходных согласующихся слоев на границах раздела систем Si/CaF2/GaAs
и GaAs/CaF2/GaAs.//Физика полупроводников и Микроэлектроника. Научный журнал, 2023, 5(1/2), С. 67-71.
9. Eshboboyev S, Ergashev Y, Tashatov A. Surface morphology and features on nickel silicide thin films fabricated ion-plasma
deposition.// Вестник НУУз. 2025, 3/2. С.494-497.
10. Ташатов А.К, Мустафоева Н.М. //Морфология, состав и структура поверхности пленок NiSi2/Si полученных методом
твердофазной эпитакции// Узбекский физический журнал, 23(2), 2021. С.55-60.
11. Tashatov A.K, Mustafoyeva N.M. //Surface morphology of NiSi2/Si Films Obtained by the Method of Solid-Phase
Deposition// Journal of surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol.14, No1, pp.81-84
12. Moll A et al., “Influence of nanostructuration on the vibrational, electronic, and optical properties of CrSi2 thin films”.//The
Journal of Physical Chemistry C, 2020. Vol. 124, No. 51, pp. 28267–28276.
13. Vaskova H, “Raman microscopic detection of chromium compounds”. //MATEC Web of Conferences, 2016, Vol. 76, Art.
No. 05012, doi: 10.1051/matecconf/20167605012.
14. Bellani V, Guizzetti G, Marabelli F and Piaggi A. Theory and experiment on the optical properties of CrSi2. //PHYSICAL
REVIE. 1992 Volume 46, Number 15.
15. Lee P.S, Mangelinck D, Pey K.L, Shen Z.X, Ding J, Osipowicz T, See A, Micro-Raman spectroscopy investigation of nickel
silicides and nickel (platinum) silicides. //Electrochemical Solid State Letters 2000. 3 (3), 153–155.
Copyright (c) 2026 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
