РАМАНОВСКИЙ АНАЛИЗ СТРУКТУРНЫХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ n-ТИПА, ЛЕГИРОВАННОГО КОБАЛЬТОМ
В данной работе методом рамановской спектроскопии исследовано влияние диффузии кобальта (Co) на структурные и
фазовые изменения в монокристаллическом кремнии n-типа (KEF-35 Ω·см). В исходном образце пик оптического фонона
Si–Si наблюдался при 523,93 см⁻¹ с интенсивностью 11 500 условных единиц. В термически обработанном контрольном
образце интенсивность пика увеличилась до 12 500, что свидетельствует о снижении внутренних напряжений в
кристаллической решётке кремния под воздействием высокой температуры. После диффузии кобальта интенсивность
пика Si–Si резко уменьшилась до 2 700, а также появились новые рамановские пики при 180, 272 и 358 см⁻¹. Эти пики
подтверждают образование силицидов кобальта (CoSi и CoSi₂). В образце с удалённым поверхностным слоем (3 мкм)
интенсивность пика Si–Si восстановилась до 8 500, а пики силицидов исчезли. Эти результаты указывают на то, что
толщина слоя силицидов кобальта составляет около 3 мкм
1. Daliev K.S., Utamuradova Sh.B., Khaitbaev A., Khamdamov J.J., Norkulov Sh.B., and M.B. Bekmuratov, “Defective
Structure of Silicon Doped with Dysprosium,” East Eur. J. Phys. (2), 283 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-
2-30
2. X. Kong, Z. Xi, L. Wang, Y. Zhou, Y. Liu, et al., “Recent Progress in Silicon−Based Materials for Performance Enhanced
Lithium Ion Batteries,” Molecules, 28(5), 2079 (2023). https://doi.org/10.3390/molecules28052079
3. K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, A. Khaitbaev, J.J. Khamdamov, S.B. Norkulov, and M.B. Bekmuratov, “Defective Structure
of Silicon Doped with Dysprosium,” East Eur. J. Phys. (2), 283-287 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-30
4. E. Smith, G. Dent, Modern Raman Spectroscopy: A Practical Approach, Wiley, 2019.
5. B. Graczykowski, M. Guedes, M. Almeida, R. R. Reiche, “Raman spectral imaging—A nondestructive, high resolution
analysis technique for local stress measurements in silicon,” Vib. Spectrosc., vol. 42, no. 1, pp. 93–97, 2006.
6. P. A. Temple, C. E. Hathaway, “Multiphonon Raman Spectrum of Silicon,” Phys. Rev. B, vol. 7, no. 8, pp. 3685–3697, 1973.
7. K. Uchida, A. Nara, T. Ito, “Raman scattering from Si–SiO₂ interface,” J. Appl. Phys., vol. 81, no. 1, pp. 269–274, 1997.
8. Tallant D. R., Headley T. J., J. R. Simpson, D. J. Smith, “Raman spectroscopy of nanocrystalline and amorphous
silicon,” Mater. Res. Soc. Symp. Proc., vol. 358, pp. 109–114, 1995
Copyright (c) 2026 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
