ОБЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПУЧКАМИ ПРОТОНОВ С ЭНЕРГИЕЙ ОТ 350 ДО 650 КЭВ
В данной работе приведены результаты измерения с помощью эффекта Холла основных электрофизических параметров
и поверхностных характеристик на сканирующем электронном микроскопе (СЭМ) облученных образцов в линейном
ускорителе ЭГ-2 (Электростатический Генератор), с энергиями пучков протонов от 350 до 650 кэВ в зависимости от
времени облучения (от 15 до 75 мин.).
1. Безродных И. П., А. П. Тютнев, В. Т. Семёнов. Радиационные эффекты в космосе. Часть 3. Влияние
ионизирующего излучения на изделия электронной техники / – М.: АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2017. – 64 с.
2. Димс Дж., Дж. Винйард. Радиационные эффекты в твердых телах. М., 1960 стр. 11.
3. Гайдар Г.П., Отжиг радиационных дефектов в кремнии, Электронная обработка материалов, 2012, 48(1), 93-105.
4. Yong R.C., Corelli J.C. Photoconductivity Studies of Radiation Induced Defects in Silicon. Phys. Rev. B. 1972, 5(4),
1455–1467.
5. Sonder E., Templeton L.C. Gamma Irradiation of Silicon. I. Levels in n-Type Material Containing Oxygen. J. Appl. Phys.
1960, 31(7), 1279–1286.
6. Bemski G., Augustyniak W.M. Annealing of Electron Bombardment Damage in Silicon Crystals. Phys. Rev. 1957, 108(3),
645–648.
7. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in Irradiated Silicon: Electron Paramagnetic Resonance of Divacancy. Phys. Rev.
1965, 138(2A), A543–A544.
Copyright (c) 2026 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
