IRRADIATION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON BY PROTON BEAMS WITH ENERGIES FROM 350 TO 650 KEV
Downloads
This paper presents the results of measurements using the Hall effect of the main electrophysical parameters and surface
characteristics on a scanning electron microscope (SEM) of irradiated samples in an EG-2 linear accelerator (electrostatic
generator) with proton beam energies from 350 to 650 keV depending on the irradiation time (from 15 to 75 minutes).
1. Безродных И. П., А. П. Тютнев, В. Т. Семёнов. Радиационные эффекты в космосе. Часть 3. Влияние
ионизирующего излучения на изделия электронной техники / – М.: АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2017. – 64 с.
2. Димс Дж., Дж. Винйард. Радиационные эффекты в твердых телах. М., 1960 стр. 11.
3. Гайдар Г.П., Отжиг радиационных дефектов в кремнии, Электронная обработка материалов, 2012, 48(1), 93-105.
4. Yong R.C., Corelli J.C. Photoconductivity Studies of Radiation Induced Defects in Silicon. Phys. Rev. B. 1972, 5(4),
1455–1467.
5. Sonder E., Templeton L.C. Gamma Irradiation of Silicon. I. Levels in n-Type Material Containing Oxygen. J. Appl. Phys.
1960, 31(7), 1279–1286.
6. Bemski G., Augustyniak W.M. Annealing of Electron Bombardment Damage in Silicon Crystals. Phys. Rev. 1957, 108(3),
645–648.
7. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in Irradiated Silicon: Electron Paramagnetic Resonance of Divacancy. Phys. Rev.
1965, 138(2A), A543–A544.
Copyright (c) 2026 «ACTA NUUz»
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.
.jpg)
1.png)
