KREMNIY MONOKRISTALLARINI ENERGIYALARI 350 DAN 650 KEV GACHA BO`LGAN PROTON DASTALARI BILAN NURLANTIRISH
##submission.downloads##
Ushbu maqolada energiyasi 350 dan 650 keV gacha bo'lgan proton dastalarining EG-2 chiziqli tezlatkichda (Elektrostatik
generator) nurlantirilgan kremniy monokristallarining Holl effekti yordamoda asosiy elektrofizik parametrlar va sirt
xususiyatlarining skanerlovchi elektron mikroskopida (SEM) foydalangan holda o'lchash natijalari keltirilgan.
1. Безродных И. П., А. П. Тютнев, В. Т. Семёнов. Радиационные эффекты в космосе. Часть 3. Влияние
ионизирующего излучения на изделия электронной техники / – М.: АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2017. – 64 с.
2. Димс Дж., Дж. Винйард. Радиационные эффекты в твердых телах. М., 1960 стр. 11.
3. Гайдар Г.П., Отжиг радиационных дефектов в кремнии, Электронная обработка материалов, 2012, 48(1), 93-105.
4. Yong R.C., Corelli J.C. Photoconductivity Studies of Radiation Induced Defects in Silicon. Phys. Rev. B. 1972, 5(4),
1455–1467.
5. Sonder E., Templeton L.C. Gamma Irradiation of Silicon. I. Levels in n-Type Material Containing Oxygen. J. Appl. Phys.
1960, 31(7), 1279–1286.
6. Bemski G., Augustyniak W.M. Annealing of Electron Bombardment Damage in Silicon Crystals. Phys. Rev. 1957, 108(3),
645–648.
7. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in Irradiated Silicon: Electron Paramagnetic Resonance of Divacancy. Phys. Rev.
1965, 138(2A), A543–A544.
Mulkiiyat (c) 2026 «O‘zMU XABARLARI»
Ushbu ish quyidagi litsenziya asosida ruxsatlangan Kreativ Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International litsenziyasi asosida bu ish ruxsatlangan..
.jpg)
.png)
