OBTAINING ULTRATHIN CONTACTS ON THE SURFACE OF BINARY SEMICONDUCTORS
For the first time, ultrathin ohmic contacts have been obtained on the surface of CdS using the method of low-energy ion
bombardment. The distribution profiles of atoms of the contacting metal (nickel) over the depth of pure CdS and CdS
bombarded with Ba + and Ar + ions have been studied. It is shown that ion bombardment leads to a decrease in the near-contact
(transition) layer by a factor of two or more and is ~ 100 – 120 Å. At the same time, the resistivity of this layer did not
exceed 2-2.5 μΩ•cm. The decrease in the thickness of the transition layer and is explained by the formation of a thin (30–
40 Å) metal layer on the CdS surface during ion bombardment.
1. Г.С. Хрипунов, В.Р. Копач, А.В. Мериуц, Р.В. Кириченко, Н.В. Дейнеко, ФТП, 45 (1) С.1564 (2011).
2. K.R. Murali, M. Matheline, R. John, Chalcogenide Lett, 6 (9) P.483 (2009).
3. A.A. Vashchenko, V.S. Lebedev, A.G. Vitukhnovskii, R.B. Vasiliev, I.G. Samatov, JETP Lett, 96, 113 (2012).
4. C. Dang, J. Lee, C. Breen, J.S. Steckel, S. Coe-Sullivan, A. Nurmikko, Nature Nanotechnology, 7, 335 (2012).
5. А.П. Беляев, В.П.Рубец, В.В.Антипов, ФТП. 39. 2. С.204-206. (2005).
6. Ш.А.Мирсагатов, И.Б. Сапаев, ФТП. 48 (10) С.1398-1404. (2014).
7. К.А.Свит, Д.Ю.Протасов, Л.Л.Свешникова, А.К.Шестаков, С.А.Тийс, К.С.Журавлев, ФТП, 48 (9) С.1237-1241
(2014).
8. Р.А.Редько, С.И.Будзуляк, Д.В.Корбутяк, А.П.Лоцько, Н.Д.Вахняк, Л.А.Демчина, С.М.Калитчук, Р.В.Конаеова,
В.В.Миленин, Ю.В. Быков, С.В.Егоров, А.Г.Еремеева, ФТП, 49 (7) С.916-919 (2015)
9. А.Г.Роках, М.И.Шишкин, В.С. Аткин, ФТП 52. (8) С.853-859 (2018).
10. Д.М.Седракян, П.Г.Петросян, Л.Н. Григорян, ЖТФ, 85 (5) С.94-99 (2015).
11. Б.Е.Умирзаков, Ж.Ш.Содикжанов, Д.А.Ташмухамедова, А.А.Абдувайитов, Э.А.Раббимов. Письмо в ЖТФ.
2021. Т.47. вып.12. с.3-5. Doi: 10.21883/PJTF.2021.12.51057.18632
12. Б.Е.Умирзаков, Д.А.Ташмухамедова, Э.А.Раббимов, Ж.Ш.Содикжанов, А.Н.Уроков, Поверхность.
Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 12, С.76-80 (2019).
13. A.A.Abduvayitov, Kh.Kh.Boltaev, G.A.Rozikov. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron
Techniques, 2022, Vol. 16, No. 5, pp. 860–863. Doi: 10.1134/S102745102205024X
14. Д.А.Ташмухамедова, Б.Е.Умирзаков, М.А. Мирджалилова, Изв. АН. Сер. Физ. 2004. Т.68. № 3. С.424-426.
15. Boltaev Kh.Kh., Tashmukhamedova D.A., Umirzakov B.E. Journal of Surface Investigation 2014, 8(2). pp.326-331
16. Алиев А.А., Абдувайитов А.А., Рузибаева М.К. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные
исследования. №5 с.102-105 (2009)
17. Walden R.H.еt.al. The buried Channel Coupled Device.// Bell. Sist.Tech.J., - 1972. - V.51. - P.180-183.
18. Wittmer M. SiIicide contacts for shaIIow junction devices. //Thin SoIid FiIms. - 1983. - V.107. - Р.99-110.
Copyright (c) 2026 «ACTA NUUz»
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.
.jpg)
1.png)
