Tabiiy fanlar

BINAR YARIM O‘TKAZGICHLAR YUZASIDA ULTRA YUPQA KONTAKTLARNI OLISH

omik kontakt, ion bombardimoni, solishtirma qarshilik, profil bo’yicha taqsimot.

Mualliflar

Birinchi marta kichik energiyali ionlarni bombardimon qilish usuli yordamida CdS yuzasida ultra yupqa omik kontaktlar
olindi. Toza CdS va Ba + , Ar + ionlari bilan bombardimon qilingan CdS tarkibidagi metall (nikel) atomlarini chuqurlik
boʻyicha taqsimoti oʻrganildi. O’tish qatlamining (kontakt soxasi) qalinligi ion bombardimon qilinganda ikki va undan ko’p
marta kamaygani, ya’ni 100 - 120 Å ni tashkil qilishi ko’rsatildi. Shu bilan birga, bu qatlamning qarshiligi () 2–2,5
mkОm·sm dan oshmadi. O'tish qatlami qalinligi va  ning kamayishi ion bombardimonida CdS yuzasida yupqa (30-40 Å)
metall qatlam hosil bo'lishi bilan izohlanadi.

##plugins.generic.recommendByAuthor.heading##