ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ZNO, ЛЕГИРОВАННЫХ КОБАЛЬТОМ, ДЛЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ.
Явления резистивного переключения привлекли значительное внимание из-за их потенциального применения в
энергонезависимой памяти следующего поколения. В этих обстоятельствах память с произвольным доступом с
резистивным изменением (RRAM) пользуется широким интересом из-за ее высокой скорости отклика, высокой
масштабируемости, многобитного потенциала хранения и простой структуры. Солегированный ZnO представляет
собой разбавленный магнитный полупроводник, и было бы очень интересно реализовать свойство резистивного
переключения.
В этой работе мы исследовали тонкие пленки ZnO, легированные кобальтом, на основе структуры RRAM, которые
демонстрируют воспроизводимое поведение биполярного резистивного переключения. Пленки ZnO, легированные
кобальтом, были нанесены на подложки сильнолегированного кремния n-типа (100) методом ультразвукового
распылительного пиролиза. Значения состояния высокого сопротивления (HRS) и состояния низкого сопротивления
(LRS) практически не колеблются во время циклического испытания, что указывает на превосходную стабильность
переключения. Соотношения сопротивлений HRS и LRS находятся в диапазоне 2-3 порядков в течение 80 циклов
испытаний. Подводя итог, можно сказать, что устойчивое и обратимое бистабильное резистивное переключение в
устройстве Au/Co:ZnO/n+-Si открывает возможности для приложений.
1. X. B. Yan, et al., Bipolar resistive switching performance of the nonvolatile memory cells based
on (AgI)0.2(Ag2MoO4)0.8 solid electrolyte films: J. Appl. Phys., 2009, 106, 054501.
2. K. Kang, W. Hu and X. Tang, Halide Perovskites for Resistive Switching Memory: J. Phys. Chem. Lett. 2021, 12, 48,
11673–11682.
3. W. Li, et al., High On/Off Ratio Organic Resistive Switching Memory Based on Carbazolyl Dicyanobenzene and a
Polymer Composit: 2022, 126, 30, 12897–12905.
4. D. Ielmini, Resistive switching memories based on metal oxides: mechanisms, reliability and scaling: Semicond. Sci.
Technol., 2016, 31, 063002.
5. F. M. Simanjuntak, D. Panda, K. H. Wei and T. Y. Tseng, Status and Prospects of ZnO-Based Resistive Switching
Memory Devices: Nanoscale Research Letters, 2016, 11, 368.
6. K. Bandopadhyay, K. N. Prajapati and J. Mitra, Resistive switching in individual ZnO nanorods: delineating the ionic
current by photo-stimulation: Nanotechnology, 2018, 29, 105701.
7. S. S. Li and Y. K. Su, Oxygen-Vacancy Induced Resistive Switching Effect in Mn-Doped ZnO Memory Devices:
Physica Status Solidi RRL, 2019, 13, 2, 1800453.
8. Kh. T. Igamberdiev, et al., Thermal diffusivity study of weak ferromagnetism in Zn1-x CoxO, Journal of Korean
Physical Society, 2011, 58, 1300-1303.
9. K. Szot, et al., Influence of Dislocations in Transition Metal Oxides on Selected Physical and Chemical Properties:
Crystals, 2018, 8, 6, 8060241.
10. S. M. Sze and Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd edition, John Wiley & Sons, 2007.
Copyright (c) 2026 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
