O‘STIRISH JARAYONIDA NIKEL BILAN LEGIRLANGAN KREMNIY ELEKTR PARMETRLARINING HARORATGA STABILLIGI
Downloads
In this paper it is shown that the introduction of nickel atoms in the process of silicon crystal growth allows to obtain a material with stable electro physical parameters in the process of thermal annealing in a wide range of temperatures 450...1050 ℃ and durations (t=0.5...25 hours). This is the most cost-effective way to create a material for semiconductor devices and solar cells with stable parameters.
Канатбай ИСМАЙЛОВ, & Ерназар КОСБЕРГЕНОВ. (2024). O‘STIRISH JARAYONIDA NIKEL BILAN LEGIRLANGAN KREMNIY ELEKTR PARMETRLARINING HARORATGA STABILLIGI. «ACTA NUUz», 3(3.1), 490–493. https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.1.1917
1. Бахадырханов М.К. Исследование физических явлений в кремний, компенсированном элементами переходной группы железа и возможности его использования в полупроводниковой электронике//дис. на соиск. ученой степени доктора физико-математических наук. – Ташкент: 1982. С. 479.
2. Бахадирханов M.K., Исмайлов Б.К. Геттерирующие свойства кластеров атомов никеля в решетке кремния//Приборы. 2020. №6, С. 44-48.
3. Исмайлов К.А., Исмайлов Б.К., Зикриллаев Х.Ф., Илиев Х.М, Ковешников С.В., Абдурахманов Б.А., Аюпов К.C. Перестройка кластеров атомов никеля в кремнии//- Вінниця: Матеріали VI міжнародної науково-практичної конфренції. 2018. С. 200-202.
4. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В. Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким p−n-переходом// Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. Вып. 19. C. 3-6.
5. Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т. Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов// ЖТФ. 2021. Вып. 6. C. 981-987.
6. Асташенков А.С., Бринкевич Д.И., Петров В.В. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии// Доклады БГУИР 2008 № 8 (38). C. 37-43.
7. Талипов Ф.М., Бахадырханов М.К. Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния// ФТП.1990. Т. 24. Вып. 12. С. 2202-2203.
8. Батавин В.В., Кочина Э.А., Сальник З.А. О механизме образования термодоноров в содержащем кислород кремнии//ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 692–696.
9. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния//-Київ: Інтерпрес ЛТД. 1997. C. 240.
10. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Батунина А.В., Головина В.Н., Мильвидский М.Г., Гуляева А.С., Тюрина Н.Б., Арапкина Л.В. Генерация термодоноров в кремнии: влияние собственных межузельных атомов// ФТП. 2000. Т. 42. Вып. 11. C. 1969-1975.
11. Yutaka Y., Guido L. Defects and Impurities in Silicon Materials// -Japan: Springer. 2015. pp. 273-341.
12. Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии// ФТП. 1998. Вып. 6. С. 712.
2. Бахадирханов M.K., Исмайлов Б.К. Геттерирующие свойства кластеров атомов никеля в решетке кремния//Приборы. 2020. №6, С. 44-48.
3. Исмайлов К.А., Исмайлов Б.К., Зикриллаев Х.Ф., Илиев Х.М, Ковешников С.В., Абдурахманов Б.А., Аюпов К.C. Перестройка кластеров атомов никеля в кремнии//- Вінниця: Матеріали VI міжнародної науково-практичної конфренції. 2018. С. 200-202.
4. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В. Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким p−n-переходом// Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. Вып. 19. C. 3-6.
5. Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т. Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов// ЖТФ. 2021. Вып. 6. C. 981-987.
6. Асташенков А.С., Бринкевич Д.И., Петров В.В. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии// Доклады БГУИР 2008 № 8 (38). C. 37-43.
7. Талипов Ф.М., Бахадырханов М.К. Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния// ФТП.1990. Т. 24. Вып. 12. С. 2202-2203.
8. Батавин В.В., Кочина Э.А., Сальник З.А. О механизме образования термодоноров в содержащем кислород кремнии//ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 692–696.
9. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния//-Київ: Інтерпрес ЛТД. 1997. C. 240.
10. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Батунина А.В., Головина В.Н., Мильвидский М.Г., Гуляева А.С., Тюрина Н.Б., Арапкина Л.В. Генерация термодоноров в кремнии: влияние собственных межузельных атомов// ФТП. 2000. Т. 42. Вып. 11. C. 1969-1975.
11. Yutaka Y., Guido L. Defects and Impurities in Silicon Materials// -Japan: Springer. 2015. pp. 273-341.
12. Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии// ФТП. 1998. Вып. 6. С. 712.
.jpg)
1.png)
