ТЕРМИЧЕСКАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ
Загрузки
В данной работе показано, что введение атомов никеля в процессе выращивании кристалла кремния позволяет получить материал со стабильными электрофизическими параметрами в процессе термоотжига в широком интервале температур 450…1050 ℃ и длительностях (t=0,5…25 час). Это наиболее экономически эффективный способ создания материала для полупроводниковых приборов и солнечных элементов со стабильными параметрами.
Канатбай ИСМАЙЛОВ, & Ерназар КОСБЕРГЕНОВ. (2024). ТЕРМИЧЕСКАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ. «ВЕСТНИК НУУз», 3(3.1), 490–493. https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.1.1917
1. Бахадырханов М.К. Исследование физических явлений в кремний, компенсированном элементами переходной группы железа и возможности его использования в полупроводниковой электронике//дис. на соиск. ученой степени доктора физико-математических наук. – Ташкент: 1982. С. 479.
2. Бахадирханов M.K., Исмайлов Б.К. Геттерирующие свойства кластеров атомов никеля в решетке кремния//Приборы. 2020. №6, С. 44-48.
3. Исмайлов К.А., Исмайлов Б.К., Зикриллаев Х.Ф., Илиев Х.М, Ковешников С.В., Абдурахманов Б.А., Аюпов К.C. Перестройка кластеров атомов никеля в кремнии//- Вінниця: Матеріали VI міжнародної науково-практичної конфренції. 2018. С. 200-202.
4. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В. Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким p−n-переходом// Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. Вып. 19. C. 3-6.
5. Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т. Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов// ЖТФ. 2021. Вып. 6. C. 981-987.
6. Асташенков А.С., Бринкевич Д.И., Петров В.В. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии// Доклады БГУИР 2008 № 8 (38). C. 37-43.
7. Талипов Ф.М., Бахадырханов М.К. Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния// ФТП.1990. Т. 24. Вып. 12. С. 2202-2203.
8. Батавин В.В., Кочина Э.А., Сальник З.А. О механизме образования термодоноров в содержащем кислород кремнии//ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 692–696.
9. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния//-Київ: Інтерпрес ЛТД. 1997. C. 240.
10. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Батунина А.В., Головина В.Н., Мильвидский М.Г., Гуляева А.С., Тюрина Н.Б., Арапкина Л.В. Генерация термодоноров в кремнии: влияние собственных межузельных атомов// ФТП. 2000. Т. 42. Вып. 11. C. 1969-1975.
11. Yutaka Y., Guido L. Defects and Impurities in Silicon Materials// -Japan: Springer. 2015. pp. 273-341.
12. Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии// ФТП. 1998. Вып. 6. С. 712.
2. Бахадирханов M.K., Исмайлов Б.К. Геттерирующие свойства кластеров атомов никеля в решетке кремния//Приборы. 2020. №6, С. 44-48.
3. Исмайлов К.А., Исмайлов Б.К., Зикриллаев Х.Ф., Илиев Х.М, Ковешников С.В., Абдурахманов Б.А., Аюпов К.C. Перестройка кластеров атомов никеля в кремнии//- Вінниця: Матеріали VI міжнародної науково-практичної конфренції. 2018. С. 200-202.
4. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В. Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким p−n-переходом// Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. Вып. 19. C. 3-6.
5. Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т. Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов// ЖТФ. 2021. Вып. 6. C. 981-987.
6. Асташенков А.С., Бринкевич Д.И., Петров В.В. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии// Доклады БГУИР 2008 № 8 (38). C. 37-43.
7. Талипов Ф.М., Бахадырханов М.К. Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния// ФТП.1990. Т. 24. Вып. 12. С. 2202-2203.
8. Батавин В.В., Кочина Э.А., Сальник З.А. О механизме образования термодоноров в содержащем кислород кремнии//ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 692–696.
9. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния//-Київ: Інтерпрес ЛТД. 1997. C. 240.
10. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Батунина А.В., Головина В.Н., Мильвидский М.Г., Гуляева А.С., Тюрина Н.Б., Арапкина Л.В. Генерация термодоноров в кремнии: влияние собственных межузельных атомов// ФТП. 2000. Т. 42. Вып. 11. C. 1969-1975.
11. Yutaka Y., Guido L. Defects and Impurities in Silicon Materials// -Japan: Springer. 2015. pp. 273-341.
12. Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии// ФТП. 1998. Вып. 6. С. 712.
.jpg)
2.png)
