ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ SN НА МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР SNO₂/ZNO, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ УЛЬТРАЗВУКОВОГО СПРЕЙ-ПИРОЛИЗА
Синтезированы двухслойные гетероструктуры SnO2/ZnO на p-Si(100) методом ультразвукового спрей-пиролиза. В
отличие от легирования, создана система с высоким содержанием олова (17.41 ат.%). XRD-анализ показал структуру
вюрцита с ориентацией (002) и размером кристаллитов 39.8 нм. EDS подтвердил интеграцию фаз Sn (17.41 ат.%) и Zn
(12.44 ат.%). Методом эллипсометрии (модель SnO2/ZnO/SiO2/Si) определена толщина 248.20 нм и показатель
преломления n = 1.9466 (632.8 нм). Результаты доказывают перспективность USP-бислоев как прозрачной и проводящей
альтернативы для оптоэлектроники.
1. Ma, J., Ji, F., Duan, H. L., and Ma, H. L. (2003). Preparation and properties of transparent conducting Sn-doped ZnO films.
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 21(3), 696-702.
2. Sahay, P. P., and Nath, R. K. (2008). Al-doped ZnO thin films as self-selective ethanol sensors. Sensors and Actuators B:
Chemical, 134(2), 654-659. https://doi.org/10.1016/j.snb.2008.06.006.
3. Ajdary, A., Leprince-Wang, Y. (2016). Structure and properties of Sn-doped ZnO nanostructures. Journal of Alloys and
Compounds, 655, 141-147.
4. Gumus, C., Ozkendir, O. M., Kavak, H., and Ufuktepe, Y. (2006). Structural and optical properties of ZnO thin films prepared
by spray pyrolysis. Journal of optoelectronics and advanced materials. Vol. 8, No. 1, February 2006, p. 299 – 303.
5. Fujiwara, H., & Kondo, M. (2005). Effects of carrier concentration on the dielectric function of ZnO:Ga and In2O3:Sn studied
by spectroscopic ellipsometry: Analysis of free-carrier and band-edge absorption. Physical Review B, 71(7), 075109.
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.075109.
6. Jellison, G. E. (1992). Optical functions of silicon determined by two-channel polarization modulation ellipsometry. Optical
Materials, 1(1),41-47. https://doi.org/10.1016/0925-3467(92)90015-F.
7. Minami, T. (2005). Transparent conducting oxide semiconductors for transparent electrodes. Semiconductor Science and
Technology, 20(4), S35. https://doi.org/10.1088/0268-1242/20/4/004.
8. A. Arslanov, Sh. Yuldashev, N. Botirova, R. Nusretov, J. Murodov, and J. Xudoyqulov, “Impact of precursor molar
concentration on the structural and optical properties of ZnO thin films synthesized by ultrasonic spray pyrolysis,” Physical
Science International Journal, 29(1), 29–35 (2025). https://doi.org/10.9734/psij/2025/v29i1871.
9. E. Rincon-Suarez, J.M. Mozo, Anabel Romero-López, S. Alcántara-Iniesta, Francisco J. Flores-Ruiz, L.E. Serrano.
Structural, optical and electrical properties of ZnO thin films deposited in the plane direction (002) by ultrasonic spray
pyrolysis using nitrogen as carrier gas. Materials Science and Engineering: B. Volume 320, October 2025, 118430.
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2025.118430.
10. R. Pant, N. Patel, K.K. Nanda, and S.B. Krupanidhi, “Negative differential resistance and resistive switching in SnO₂/ZnO
interface,” Journal of Applied Physics, 122(12), (2017). https://doi.org/10.1063/1.5004969.
Copyright (c) 2026 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
