ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА И МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ ЗАРЯДА В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ TiO₂ С ПРОМЕЖУТОЧНЫМ СЛОЕМ SiO₂
В связи с постоянным уменьшением размеров полупроводниковых приборов возрастает необходимость использования
материалов с высокой диэлектрической проницаемостью. Диоксид титана (TiO₂) является перспективным материалом
благодаря высокой диэлектрической постоянной, однако его непосредственный контакт с кремниевой (Si) подложкой
приводит к проблемам, связанным с высокой плотностью поверхностных состояний на границе раздела (Dit), усилением
процессов захвата заряда и увеличением плотности тока утечки. В данной работе исследовано влияние тонкого
межслойного слоя диоксида кремния (SiO₂) на улучшение свойств интерфейса в структурах Si/TiO₂. В рамках
исследования были проанализированы вольт-фарадные (C–V) и вольт-амперные (J–V) характеристики многослойной
МДП-структуры Al/TiO₂/SiO₂/Si, а также оценены плотность состояний на границе раздела (Dit) и механизмы тока утечки
1. Robertson J. High dielectric constant oxides // Eur. Phys. J. Appl. Phys., 2004.
2. Taur Y., Ning T.H. Fundamentals of Modern VLSI Devices. – Cambridge, 2013.
3. Nicollian E.H., Brews J.R. MOS Physics and Technology. – Wiley, 1982.
4. Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. – Wiley, 2007.
5. Mackus A.J.M. et al. Atomic layer deposition for nanotechnology // Nature Reviews Materials, 2019.
6. Knoops H.C.M. et al. Status and prospects of ALD // J. Vac. Sci. Technol. A, 2020.
7. Chen Y. et al. Interface engineering of high-k dielectrics on Si // Applied Surface Science, 2020.
8. Wang Z. et al. Charge trapping and hysteresis in MOS structures // IEEE TED, 2020.
9. Zhang L. et al. SiO₂ interfacial layer effects in high-k stacks // Thin Solid Films, 2021
Copyright (c) 2026 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
