ИЗУЧЕНИЕ ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОНОВ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В КРЕМНИЙ И ВЛИЯНИЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА СТРУКТУРУ СИЛИЦИДОВ ЖЕЛЕЗА
Загрузки
В работе представлены результаты исследования профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига методом RBS. Полученные результаты подтверждают аналогичные данные, полученные методом ВИМС. Изучено влияние термического отжига на распределение железа и других примесей, в частности кислорода. Представлена возможность использования метода RBS для анализа распределения концентрации и взаимодействия примесей друг с другом. Одновременно изучалась кристаллическая структура поверхности и электрофизические свойства ионно-легированных слоев.
Bahrom EGAMBERDIEV, Amin MALLAEV, & Shohruh SAYFULLOEV. (2024). ИЗУЧЕНИЕ ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОНОВ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В КРЕМНИЙ И ВЛИЯНИЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА СТРУКТУРУ СИЛИЦИДОВ ЖЕЛЕЗА. «ВЕСТНИК НУУз», 3(3.1), 524–528. https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.1.1947
1. Gerasimenko.N.N., ParkhomenkoYu.N. Silicon as material for nanoelectronics, // Technosfera, M. 2007.352P.
2. Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
3. Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., VilkovO.Yu., Vyalix D.V.// Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
4. Gomonova M.V., Pronin I.I. Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
5. Lopatin O.M. Ion implantation of minerals and their synthetic analogs // Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
6. Гелд П.В., Сидоренко Ф.А. Силисиди переходних металлов ИВ периода. // – М.: Металлургия, 1971, с.584.
7. Лифшис В.Г. Электронная структура и силисид образованиэ в тонких плёнках переходних металлов на кремнии // Preprint, 1984, с.260.
8. Эгамбердиэв Б.Э. «Электронно-спектроскопическиэ исследования физических свойств эпитаксиалних комбинасий и ионно- имплантированних слоэв в кремнии». Докторская диссертасия – M, 2003,S 243.
9. Эгамбердиэв Б.Э., Абдугабборов М. Изучениэ некоторих особенностей профилей распределения имплантированних атомов Mn, Fe i Ni v Si // Вестник ТГТУ, 1994.,T.1-2., S.39-44.
10. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С. Кремниэвиэ силисидниэ структури на основе ионного легирования. // T.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
11. Egamberdiev B.E., Rakhmanov A.T., Mallaev A.S., Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. // Science and world.2018. 1(53).vol.1.p.57-60
12. Miquita D.R., Paniago R., Rodrigues W.N., Moreira M.V., Pfannes H.-D., Oliveira A.G. Growth of (3-FeSi2 layers on Si(lll) by solid phase and reactive deposition epitaxies. // Thin Solid Films. 2005. V. 493. P. 30 - 34.
13. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С., Тошев А.Р. Особенности элетроннои структурой ионно-имплантированных слоэв Ni, Fe и Cо в кремнии. //Мездународная конфереция. Россия 2009, Томск, пп. 77-80.
2. Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
3. Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., VilkovO.Yu., Vyalix D.V.// Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
4. Gomonova M.V., Pronin I.I. Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
5. Lopatin O.M. Ion implantation of minerals and their synthetic analogs // Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
6. Гелд П.В., Сидоренко Ф.А. Силисиди переходних металлов ИВ периода. // – М.: Металлургия, 1971, с.584.
7. Лифшис В.Г. Электронная структура и силисид образованиэ в тонких плёнках переходних металлов на кремнии // Preprint, 1984, с.260.
8. Эгамбердиэв Б.Э. «Электронно-спектроскопическиэ исследования физических свойств эпитаксиалних комбинасий и ионно- имплантированних слоэв в кремнии». Докторская диссертасия – M, 2003,S 243.
9. Эгамбердиэв Б.Э., Абдугабборов М. Изучениэ некоторих особенностей профилей распределения имплантированних атомов Mn, Fe i Ni v Si // Вестник ТГТУ, 1994.,T.1-2., S.39-44.
10. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С. Кремниэвиэ силисидниэ структури на основе ионного легирования. // T.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
11. Egamberdiev B.E., Rakhmanov A.T., Mallaev A.S., Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. // Science and world.2018. 1(53).vol.1.p.57-60
12. Miquita D.R., Paniago R., Rodrigues W.N., Moreira M.V., Pfannes H.-D., Oliveira A.G. Growth of (3-FeSi2 layers on Si(lll) by solid phase and reactive deposition epitaxies. // Thin Solid Films. 2005. V. 493. P. 30 - 34.
13. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С., Тошев А.Р. Особенности элетроннои структурой ионно-имплантированных слоэв Ni, Fe и Cо в кремнии. //Мездународная конфереция. Россия 2009, Томск, пп. 77-80.
.jpg)
2.png)
