KREMNIYGA ION IMPLANTATSIYA QILINGAN IONLARNING TARQALISH PROFILINI O‘RGANISH VA TERMIK TOBLANISHNI TEMIR SILITSIDLARINING TUZILISHIGA TA’SIRI
##submission.downloads##
Maqolada RBS usulida nurlanish dozasi va toblanish haroratiga qarab kremniyda implantatsiya qilingan temir atomlarining tarqalish profillarini o‘rganish natijalari keltirilgan. Olingan natijalar IIMS tomonidan olingan o‘xshash ma’lumotlarni tasdiqlaydi. Termik toblanishning temir va boshqa kirishmalarning, xususan, kislorodning tarqalishiga ta’siri o‘rganildi. Konsentratsiyani taqsimlash va kirishmalarning bir-biri bilan o‘zaro ta’sirini tahlil qilish uchun RBS usulidan foydalanish imkoniyati taqdim etilgan. Shu bilan birga, sirtning kristall tuzilishi va ionli qatlamlarning elektrofizik xususiyatlari o‘rganildi.
Bahrom EGAMBERDIEV, Amin MALLAEV, & Shohruh SAYFULLOEV. (2024). KREMNIYGA ION IMPLANTATSIYA QILINGAN IONLARNING TARQALISH PROFILINI O‘RGANISH VA TERMIK TOBLANISHNI TEMIR SILITSIDLARINING TUZILISHIGA TA’SIRI. «O‘zMU XABARLARI», 3(3.1), 524–528. https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.1.1947
1. Gerasimenko.N.N., ParkhomenkoYu.N. Silicon as material for nanoelectronics, // Technosfera, M. 2007.352P.
2. Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
3. Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., VilkovO.Yu., Vyalix D.V.// Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
4. Gomonova M.V., Pronin I.I. Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
5. Lopatin O.M. Ion implantation of minerals and their synthetic analogs // Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
6. Гелд П.В., Сидоренко Ф.А. Силисиди переходних металлов ИВ периода. // – М.: Металлургия, 1971, с.584.
7. Лифшис В.Г. Электронная структура и силисид образованиэ в тонких плёнках переходних металлов на кремнии // Preprint, 1984, с.260.
8. Эгамбердиэв Б.Э. «Электронно-спектроскопическиэ исследования физических свойств эпитаксиалних комбинасий и ионно- имплантированних слоэв в кремнии». Докторская диссертасия – M, 2003,S 243.
9. Эгамбердиэв Б.Э., Абдугабборов М. Изучениэ некоторих особенностей профилей распределения имплантированних атомов Mn, Fe i Ni v Si // Вестник ТГТУ, 1994.,T.1-2., S.39-44.
10. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С. Кремниэвиэ силисидниэ структури на основе ионного легирования. // T.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
11. Egamberdiev B.E., Rakhmanov A.T., Mallaev A.S., Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. // Science and world.2018. 1(53).vol.1.p.57-60
12. Miquita D.R., Paniago R., Rodrigues W.N., Moreira M.V., Pfannes H.-D., Oliveira A.G. Growth of (3-FeSi2 layers on Si(lll) by solid phase and reactive deposition epitaxies. // Thin Solid Films. 2005. V. 493. P. 30 - 34.
13. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С., Тошев А.Р. Особенности элетроннои структурой ионно-имплантированных слоэв Ni, Fe и Cо в кремнии. //Мездународная конфереция. Россия 2009, Томск, пп. 77-80.
2. Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
3. Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., VilkovO.Yu., Vyalix D.V.// Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
4. Gomonova M.V., Pronin I.I. Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
5. Lopatin O.M. Ion implantation of minerals and their synthetic analogs // Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
6. Гелд П.В., Сидоренко Ф.А. Силисиди переходних металлов ИВ периода. // – М.: Металлургия, 1971, с.584.
7. Лифшис В.Г. Электронная структура и силисид образованиэ в тонких плёнках переходних металлов на кремнии // Preprint, 1984, с.260.
8. Эгамбердиэв Б.Э. «Электронно-спектроскопическиэ исследования физических свойств эпитаксиалних комбинасий и ионно- имплантированних слоэв в кремнии». Докторская диссертасия – M, 2003,S 243.
9. Эгамбердиэв Б.Э., Абдугабборов М. Изучениэ некоторих особенностей профилей распределения имплантированних атомов Mn, Fe i Ni v Si // Вестник ТГТУ, 1994.,T.1-2., S.39-44.
10. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С. Кремниэвиэ силисидниэ структури на основе ионного легирования. // T.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
11. Egamberdiev B.E., Rakhmanov A.T., Mallaev A.S., Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. // Science and world.2018. 1(53).vol.1.p.57-60
12. Miquita D.R., Paniago R., Rodrigues W.N., Moreira M.V., Pfannes H.-D., Oliveira A.G. Growth of (3-FeSi2 layers on Si(lll) by solid phase and reactive deposition epitaxies. // Thin Solid Films. 2005. V. 493. P. 30 - 34.
13. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С., Тошев А.Р. Особенности элетроннои структурой ионно-имплантированных слоэв Ni, Fe и Cо в кремнии. //Мездународная конфереция. Россия 2009, Томск, пп. 77-80.
.jpg)
.png)
