Tabiiy fanlar

ВЫСОКОИНДЕКСНАЯ (331) НИКЕЛЕВАЯ ПОДЛОЖКА ДЛЯ СИНТЕЗА ГРАФЕНА

поверхности Ni, химическое осаждение из газовой фазы (CVD) графена, молекулярная динамика, поверхностная энергия.HIGH-INDEX (331)

Авторы

  • Tursunpo‘lat JO‘RABOYEV Tursunpo‘lat JO‘RABOYEV, O‘zR FA, Ion-Plazma va Lazer Texnologiyalari Instituti, kichik ilmiy xodimi, Узбекистан
  • Eldorbek BAKIROV O‘zR FA, Ion-Plazma va Lazer Texnologiyalari Instituti, stajyor tadqiqotchi, Узбекистан
  • O`tkir O`LJAYEV O‘zR FA, Ion-Plazma va Lazer Texnologiyalari Instituti, PhD talabasi, Узбекистан
  • Umedjon XALILOV O‘zR FA, Ion-Plazma va Lazer Texnologiyalari Instituti, bosh ilmiy xodim Belgiya, Antverpen Universiteti, Plasmant tadqiqot guruhi, Узбекистан

Благодаря его электронным и механическим свойствам, а также высокой химической стабильности ведутся
исследования по выращиванию графена различными методами. Среди них CVD является одним из наиболее
эффективных методов, но одной из основных проблем при выращивании графена является правильный выбор
поверхности металлического катализатора. Поэтому в данной исследовательской работе вероятность роста графена на
поверхностях с высоким индексом Ni(331) и низким индексом Ni(111) оценивалась методом молекулярной динамики
(МД). Установлено, что поверхностная энергия поверхности g-Ni(331) с графеном ниже (0,5 Дж/м2), чем у поверхности
g-Ni(111), которая считается наиболее эффективной при выращивании графена. Это означает, что можно выращивать
графен на поверхностях Ni(331) с высоким индексом, а также на поверхностях Ni(111) с низким индексом, которые
можно использовать для изготовления наноустройств (нанотранзисторов, аккумуляторов, водяных фильтров,
конденсаторов и т. д.). ).

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)