ВЫРАЩИВАНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКА ТОНКОГО СЛОЯ ОКСИДА МЕДИ В КАЧЕСТВЕ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО НАПЫЛЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ Si/ZnO
В данной работе тонкопленочные гетероструктуры на основе CuO и Cu₂O были синтезированы на поверхности подложки Si/ZnO методом магнетронного распыления. В исследовании изучалось влияние температуры и ионной очистки на поверхность подложки. Слои CuO и Cu₂O выращивались в трех различных условиях: без нагрева, с нагревом до 600°C и с очисткой ионами импульсного разряда. Кристаллографическую структуру, фазовое состояние, морфологию поверхности, элементный состав и спектроскопические свойства комбинационного рассеяния света полученных слоев анализировали с использованием соответствующих аналитических методов. Результаты показали, что высокотемпературный нагрев и ионная очистка приводят к образованию однородных, плотных и высококристаллических слоев. Полученные гетероструктуры CuO/Cu₂O рекомендуются в качестве перспективных материалов для создания солнечных элементов
1. Minami T, Nishi Y, Miyata T and Nomoto J 2011 Appl. Phys. Exp. 4 062301. DOI 10.1143/APEX.4.062301 2. Mittiga E, Salza E, Sarto F, Tucci M and Vasanthi R 2006 Appl. Phys. Lett. 88 163502. https://doi.org/10.1063/1.2194315
3. Izaki M, Shinagawa T, Mizuno K, Ida Y, Inaba M and Tasaka A T 2007 J. Phys. D 40 3326. DOI 10.1088/00223727/40/11/010
4. Jeong S S, Mittiga A, Salza E, Masci A and Passerini S 2008 Electrochim. Acta. 53 2226.
5. Izaki M, Mizuno K, Shinagawa T, Inaba M and Tasaka A 2006 J. Electrochem. Soc. 153 C668.
6. Teresa D G, Mark G S, Yanchun Z Rachel A V, Robert A V L and Jay A S 1996 Chem. Mater. 8 2499.
7. Nakaoka K and Ogura K 2002 J. Electrochem. Soc. 149 C579.
8. Fujimoto K, Oku T and Akiyama T 2011 J. Ceram. Soc. Jpn. 119 402.
9. Oku T, Noma T, Suzuki A, Kikuchi K and Kikuchi S 2010 J. Phys. Chem. Solids 71 551.
10. Oku T, Motoyoshi R, Fujimoto K, Akiyama T, Balachandran J and Cuya J 2011 J. Phys. Chem. Solids 72 1206.
11. Domnina M I, Filatov S K, Zyuzyukia I I and Vergasova L P 1986 Neorgan. Materialy 22 1743.
12. Kidowaki H, Oku T and Akiyama T 2012 J. Phys. Conf. Series 352 012022.
13. Oku T, Takeda A, Nagata A, Fujimoto K, Akiyama T and Suzuki A 2012 J. Phys. Conf. Ser. 352 012024. 14. Oku T, Takeda A, Nagata A, Kidowaki H, Kumada K, Fujimoto K., Suzuki A, Akiyama T,Yamasaki Y, and Osawa E 2013 Mat. Tech. 28 21.
15. Martin A G, Keith E, David L K, Yoshihiro H and Wilhelm W 2006 Prog. Photovolt Res. Appl. 14 455.
Copyright (c) 2025 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
