ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ZN-ДИФФУЗИОННОКОМПЕНСИРОВАННОГО И СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
В данной научной статье представлено синтезирование сильно компенсированных подложек p(n)-Si<P,Zn> с различными типами проводимости и широким диапазоном удельного электрического сопротивления при комнатной температуре. Это достигается диффузией Zn в полупроводниковую подложку с целью формирования дополнительных уровней на энергетической диаграмме МОП-структур и повышения её чувствительности к внешним воздействиям. В результатах эксперимента приведены значения подвижности, концентрации носителей заряда и удельного сопротивления, на основе которых в энергетическую диаграмму кремниевой подложки были внесены определённые добавки с учётом экспериментальных данных
1. N.V. Volkov, A.S. Tarasov, D.A. Smolyakov, S.N. Varnakov, and S.G. Ovchinnikov, “Bias-voltage-controlled ac and dc magnetotransport phenomena in hybrid structures,” J. Magn. Magn. Mater., vol. 383, pp. 69–72, Jun. 2015, doi: 10.1016/j.jmmm.2014.11.014.
2. N.V. Volkov, A.S. Tarasov, D.A. Smolyakov, A.O. Gustaitsev, V.V. Balashev, and V.V. Korobtsov, “The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier,” Appl. Phys. Lett., vol. 104, no. 22, p. 222406, Jun. 2014, doi: 10.1063/1.4881715. 3. Z. Liang et al., “A review of doped metal oxide semiconductors in the stability of thin film transistors,” J. Alloys Compd., vol. 1010, p. 177434, Jan. 2025, doi:10.1016/j.jallcom.2024.177434.
4. T.J. Theka, H.C. Swart, and D.E. Motaung, “Recent trends, advances, and challenges in MOF-derived metal oxide semiconductor-based sensors for BTEX detection: A review,” Inorg. Chem. Commun., vol. 168, p. 112884, Oct. 2024, doi: 10.1016/j.inoche.2024.112884.
5. K.С. Аюпов, М.К. Бахадирханов, Н.Ф. Зикриллаев, Х.М. Илиев “Физические явления в кремнии в крайне неравновесном состоянии”. Lambert Academic Publishing, Group 17 Meldrum Street. Beau Bassin 71504. 2019
6. C.S. Fuller and F.J. Morin, “Diffusion and Electrical Behavior of Zinc in Silicon,” Phys. Rev., vol. 105, no. 2, pp. 379–384, Jan. 1957, doi: 10.1103/PhysRev.105.379.
7. R.O. Carlson, “Double-Acceptor Behavior of Zinc in Silicon,” Phys. Rev., vol. 108, no. 6, pp. 1390–1393, Dec. 1957, doi: 10.1103/PhysRev.108.1390.
8. М.К. Бахадырханов, Б.И. Болтакс, Т.Дж. Джафаров, Г.С. Куликов, “Оптическое поглощения в кремнии с примесями Co и Zn.” ФТТ., vol. Т. 11. В. 12., pp. 36–42.
9. J.M. Herman III and C.T. Sah, “Thermal ionization rates and energies of holes at the double acceptor zinc centers in silicon,” Phys. Status Solidi A, vol. 14, no. 2, pp. 405–415, 1972, doi: 10.1002/pssa.2210140203.
10. В.М Арутюнян “Физические свойства и функциональные возможности для кремниевых структур компенсированным цинком,” Микроэлектроника., vol. Т.
11. В. 6., pp. 45–54, 1982. 11. “М.К. Бахадырханов, Н.Ф. Зикриллаев, Э.У. Арзикулов, “Влияние упругости паров диффузанта на концентрацию электроактивных атомов и степень компенсации образцов Si{Zn}”, Письма в ЖТФ, 17:12 (1991), 1–4.
12. Е.В. Кучис, “Гальваномагнитные. эффекты и методы. их исследования,” Радио И Связь, vol. . – 264 с: pp. 140-147;., Москва: Редакция литературы по электронике, 1990
Copyright (c) 2025 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
