SO/SIO2 /SI<P,ZN> GIBRID STRUKTURASI UCHUN KUCHLI KOMPENSIRLANGAN SI<P,ZN> TAGLIKLARNING ELEKTRIK XOSSALARI VA ENERGETIK DIAGRAMMASI
##submission.downloads##
Ushbu ilmiy maqolada MOY strukturalarining energetik diagrammasida yarimo‘tkazgich taglikka Zn diffuziya qilish orqali uning tashqi ta’sirlarga sezgirligini oshirish maqsadida turli o‘tkazuvchanlik turi va xona haroratida keng oraliqdagi solishtirma elektr qarshiligiga ega bo‘lgan kuchli kompensirlangan p(n)-Si<P,Zn> tagliklarini sintez qilish, ularning elektr xossalarining o‘zgarishining tajribaviy natijalari va tahlillari keltirilgan. Tajriba natijalarida harakatchanlik, zaryad tashuvchilar konsentrasiyasi va solishtirma qarshilik qiymatlari keltirilgan va ular asosida kremniy taglikning energetik diagrammasiga tajriba natijalariga asoslangan holda ma’lum qo‘shimchalar kiritilgan
1. N.V. Volkov, A.S. Tarasov, D.A. Smolyakov, S.N. Varnakov, and S.G. Ovchinnikov, “Bias-voltage-controlled ac and dc magnetotransport phenomena in hybrid structures,” J. Magn. Magn. Mater., vol. 383, pp. 69–72, Jun. 2015, doi: 10.1016/j.jmmm.2014.11.014.
2. N.V. Volkov, A.S. Tarasov, D.A. Smolyakov, A.O. Gustaitsev, V.V. Balashev, and V.V. Korobtsov, “The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier,” Appl. Phys. Lett., vol. 104, no. 22, p. 222406, Jun. 2014, doi: 10.1063/1.4881715. 3. Z. Liang et al., “A review of doped metal oxide semiconductors in the stability of thin film transistors,” J. Alloys Compd., vol. 1010, p. 177434, Jan. 2025, doi:10.1016/j.jallcom.2024.177434.
4. T.J. Theka, H.C. Swart, and D.E. Motaung, “Recent trends, advances, and challenges in MOF-derived metal oxide semiconductor-based sensors for BTEX detection: A review,” Inorg. Chem. Commun., vol. 168, p. 112884, Oct. 2024, doi: 10.1016/j.inoche.2024.112884.
5. K.С. Аюпов, М.К. Бахадирханов, Н.Ф. Зикриллаев, Х.М. Илиев “Физические явления в кремнии в крайне неравновесном состоянии”. Lambert Academic Publishing, Group 17 Meldrum Street. Beau Bassin 71504. 2019
6. C.S. Fuller and F.J. Morin, “Diffusion and Electrical Behavior of Zinc in Silicon,” Phys. Rev., vol. 105, no. 2, pp. 379–384, Jan. 1957, doi: 10.1103/PhysRev.105.379.
7. R.O. Carlson, “Double-Acceptor Behavior of Zinc in Silicon,” Phys. Rev., vol. 108, no. 6, pp. 1390–1393, Dec. 1957, doi: 10.1103/PhysRev.108.1390.
8. М.К. Бахадырханов, Б.И. Болтакс, Т.Дж. Джафаров, Г.С. Куликов, “Оптическое поглощения в кремнии с примесями Co и Zn.” ФТТ., vol. Т. 11. В. 12., pp. 36–42.
9. J.M. Herman III and C.T. Sah, “Thermal ionization rates and energies of holes at the double acceptor zinc centers in silicon,” Phys. Status Solidi A, vol. 14, no. 2, pp. 405–415, 1972, doi: 10.1002/pssa.2210140203.
10. В.М Арутюнян “Физические свойства и функциональные возможности для кремниевых структур компенсированным цинком,” Микроэлектроника., vol. Т.
11. В. 6., pp. 45–54, 1982. 11. “М.К. Бахадырханов, Н.Ф. Зикриллаев, Э.У. Арзикулов, “Влияние упругости паров диффузанта на концентрацию электроактивных атомов и степень компенсации образцов Si{Zn}”, Письма в ЖТФ, 17:12 (1991), 1–4.
12. Е.В. Кучис, “Гальваномагнитные. эффекты и методы. их исследования,” Радио И Связь, vol. . – 264 с: pp. 140-147;., Москва: Редакция литературы по электронике, 1990
Mulkiiyat (c) 2025 «O‘zMU XABARLARI»
Ushbu ish quyidagi litsenziya asosida ruxsatlangan Kreativ Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International litsenziyasi asosida bu ish ruxsatlangan..
.jpg)
.png)
