ФОРМИРОВАНИЕ МЕМРИСТИВНОГО ПОВЕДЕНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ NiO ПУТЕМ ИЗМЕНЕНИЯ ВРЕМЕНИ ОТЖИГА И ВЫБОРА МАТЕРИАЛА ЭЛЕКТРОДА
Тонкие пленки оксида никеля (NiO) были синтезированы методом золь-гель центрифугирования и подвергнуты отжигу при 400 °C в течение 2 и 5 часов для изучения влияния времени постотжига на их мемристивное поведение. В качестве верхних электродов были использованы серебро (Ag) и индий (In). Оптическая ширина запрещенной зоны была определена с помощью анализа графиков Тауца на основе данных отражения. Структурные свойства исследовались методом рентгеновской дифракции (XRD), а мемристивное переключение - с помощью измерений ток–напряжение (I–V) с использованием прибора Keithley-2460 SourceMeter. Было установлено, что как время отжига, так и тип электрода значительно влияют на характеристики переключения и свойства материала.
1. S. Tappertzhofen, D. Valov, and R. Waser, "Dependence of the electrical switching behavior in Ag/oxide-based memristive systems on the electrode material," Nanotechnology, vol. 23, no. 14, p. 145703, 2012.
2. D. Ielmini and R. Waser, Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications, Wiley-VCH, 2015.
3. T. Chen, C. Liao, J. Liu, and L. Wang, "Preparation of NiO thin films by sol–gel method and their application in solar cells," Journal of Alloys and Compounds, vol. 509, no. 5, pp. 2316–2319, 2011.
4. Z. Wang, H. Wu, G. Burr, et al., "Resistive switching materials for information processing," Nature Reviews Materials, vol. 5, no. 3, pp. 173–195, 2020.
5. S. Yu, "Resistive random access memory (RRAM) materials and devices: Modeling and applications," Materials Today, vol. 18, no. 5, pp. 252–264, 2015.
6. M. Lanza, "A review on resistive switching in high-k dielectrics: A nanoscale point of view using conductive atomic force microscope (CAFM)," Materials, vol.
7, no. 3, pp. 2155–2182, 2014. 7. J. Yao, Z. Sun, L. Zhong, et al., "Resistive switching in nanogap systems on SiO₂ substrates," Nano Letters, vol. 10, no. 10, pp. 4105–4110, 2010.
8. C. H. Ahn, J. W. Lee, and H. J. Lee, "Growth and characterization of p-type NiO thin films by sputtering," Journal of Applied Physics, vol. 92, no. 6, pp. 3684–3687, 2002.
9. Z. Zhang, M. Zhu, and Y. Li, "Preparation of NiO thin films for resistive switching memories," Journal of Materials Science: Materials in Electronics, vol. 23, no. 3, pp. 636–640, 2012. 10. D. Lee, S. Lee, and H. Hwang, "Resistance switching of NiO thin films for nonvolatile memory applications," Applied Physics Letters, vol. 90, no. 12, p. 122104, 2007.
11. M. H. Lee, J. W. Park, and S. H. Kim, "Annealing effect on electrical properties of NiO thin films," Journal of the Korean Physical Society, vol. 56, no. 1, pp. 132–136, 2010.
12. R. Waser and M. Aono, "Nanoionics-based resistive switching memories," Nature Materials, vol. 6, no. 11, pp. 833–840, 2007. 13. J. Yao, Z. Sun, and L. Zhong, "Resistive switching in nanogap systems on SiO₂ substrates," Nano Letters, vol. 10, no. 10, pp. 4105–4110, 2010.
14. G. Bersuker, "Metal oxide resistive memory switching mechanism based on conductive filament properties," Journal of Applied Physics, vol. 110, no. 12, p. 124518, 2011.
15. S. Yu, "Resistive random access memory (RRAM) materials and devices: Modeling and applications," Materials Today, vol.
18, no. 5, pp. 252–264, 2015. 16. Z. Wang, H. Wu, G. Burr, et al., "Resistive switching materials for information processing," Nature Reviews Materials, vol. 5, no. 3, pp. 173–195, 2020.
Copyright (c) 2025 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
