ВЛИЯНИЕ МОНОСЛОЙНОЙ АДСОРБЦИИ АТОМОВ СS НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ, ЭМИССИОННЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА GAP (111)
В работе изучено влияние монослойного осаждения атомов Cs на электронную структуру (плотность состояния электронов, параметры зон и оптические свойства) монокристаллического GaP(111). Исследования проводились методами спектроскопии фотоэлектронов и упруго отраженных электронов. Показано, что работа выхода электронов уменьшается на 1,94 эВ, а квантовый выход электронов увеличивается в 5 и более раз.
1. Mudar Ahmed Abdulsattar, Bahjat B. Kadhim and Huda M. Jawad. Electronic, Structural and Vibrational Properties of GaP Diamondoids and Nanocrystals: A Density Functional Theory Study. Nanomater Nanotechnol, 2015, 5:15 | doi: 10.5772/60577.
2. Lorenz M R, Pettit G D, Taylor R C (1968) Band Gap of Gallium Phosyhide from 0 to 900K and Light Emission from Diodes at High Temperatures. Phys. Rev. 171:876.
3. Assali S, Zardo I, Plissard S, Kriegner D, Verheijen M A, Bauer G, Meijerink A, Belabbes A, Bechstedt F, Haverkort J E M, Bakkers E P A M (2013) Direct Band Gap Wurtzite Gallium Phosphide Nanowires. Nano Lett. 13:1559.
4. NSM Archive, Physical Properties of Semiconduc‐ tors, Available: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/ Semicond/. Accessed 2014 June 1.
5. Fedorchenko I. V., Kushkov A. R., Gaev D. S., et al., Growth method for AIIIBV and AIVBVI heterostructures, J. Cryst. Growth. 483 (1 February) (2018) 245–250.
6. Spirina A. A., Nastovjak A. G., Usenkov S.V., Shvarts N. L., Lattice Monte Carlo model of Langmuir evaporation of AIIIBV semiconductors, J. Comput. Technol. 23 (6) (2018) 81–94.
7. Alexander S. Gudovskikh,a) Ivan A. Morozov, Alexander V. Uvarov, Dmitriy A. Kudryashov, Ekaterina V. Nikitina, and Anton S. Bukatin. Low temperature plasma enhanced deposition of GaP films on Si substrate. J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 36, No. 2, Mar/Apr 2018
8. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
9. H. Wagner, T. Ohrdes, A. Dastgheib-Shirazi, B. Puthen Veettil, D. K€onig, and P. P. Altermatt, J. Appl. Phys. 115, 044508 (2014).
10. 4 M. Feifel, T. Rachow, J. Benick, and J. Ohlmann, IEEE J. Photovoltaics 6, 384 (2016). 5 M. Sadeghi and S. Wang, J. Cryst. Growth 227–228, 279 (2001).
11. M. S. Sobolev, A. A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, A. S. Gudovskikh, and A. Yu. Egorov, Semicond. 49, 559 (2015).
12. J. F. Geisz, J. M. Olson, D. J. Friedman, K. M. Jones, R. C. Reedy, and M. J. Romero, 31th IEEE PVSC (2005), p. 695.
13. A. S. Gudovskikh, K. S. Zelentsov, A. I. Baranov, D. A. Kudryashov, I. A. Morozov, E. V. Nikitina, and J.-P. Kleider, Energy Procedia 102, 56 (2016).
14. B.E. Umirzakov, I.R. Bekpulatov, I.Kh. Turapov, B.D. Igamov. Effect of Deposition of Submonolayer Cs Coatings on the Density of Electronic States and Energy Band Parameters of CoSi2/Si(111). J. NANO- ELECTRON. PHYS. 14, 02026 (2022)
15. G. M. Shirinov, S. B. Donaev, B. Y. Umirzakov, V. V. Loboda. Emission, optical and electrical properties of GaInP/GaP nanofilms. St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 2. DOI: https://doi.org/10.18721/JPM.16208.
16. Umirzakov B.E., Pugacheva T.S., Tashatov A.T., Tashmukhamedova D.A. Electronic structure and optical properties of CaF2 films under low energy Ba+ ion-implantation combined with annealing. // Nuclear instruments & Methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms. DOI: 10.1016/S0168-583X(99)01151-9 2000, Vol. 166, № 2, Page 572-576.
17. Donaev S. B., Tashatov A. K., Umirzakov B. E. Effect of Ar+- Ion Bombardment on the Composition and Structure of the Surface of CoSi2/Si(111) Nanofilms. // Journal of surface investigation. DOI: 10.1134/S1027451015020263. 2015, Vol. 9, № 2, Page 406-409.
18. Кораблев В.В., Кудинов Ю.А., Сысоев С.Н. Проявление зонной структуры твердого тела в спектрах вторичных электронов с угловым разрешением // Физика твердого тела, 1986, том 28, выпуск 9, с. 2648-2654.
Copyright (c) 2025 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
