Tabiiy fanlar

МЕХАНИЗМЫ МЕЖФАЗНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ И ПЕРЕСТРОЙКА ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ В СИСТЕМАХ Si(Ge)/Al(111) И Si(Ge)/Cu(111)

тонкие нанопленки, межфазная диффузия, ионная имплантация, наногетероструктуры, термический отжиг, силицидные фазы, моноатомный слой, фотоэлектронная эмиссия, плазмонные возбуждения.

Авторы

  • З.А. ИСАХАНОВ Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз, Ташкент, Узбекистан, Узбекистан
  • Б. УМИРЗАКОВ Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан, Узбекистан
  • Ёкуб ЭРГАШОВ Национальный университет Узбекистана имени М.Улугбека, Ташкент, Узбекистан, Узбекистан
  • Р.M. Ёркулов Каршинский университет экономики и педагогики, Карши, Узбекистан, Узбекистан
  • М.М. Махмудов Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз, Ташкент, Узбекистан, Узбекистан

В работе проведено комплексное исследование формирования межфазных границ и электронной структуры
наногетеросистем Si/Al(111), Si/Cu(111), Ge/Al(111) и Ge/Cu(111). Осаждение тонких пленок кремния и германия
осуществлялось в условиях сверхвысокого вакуума с последующей термической обработкой. Анализ состава, структуры
и электронных свойств проводился методами оже-электронной спектроскопии, спектроскопии характеристических
потерь энергии электронов и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии.

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)