Tabiiy fanlar

Si(Ge)/Al(111) ва Si(Ge)/Cu(111) TIZIMLARIDA FAZALARARO O‘ZARO TA’SIRI VA ELEKTRON TUZILISHINING QAYTATIKLANISHI MEXANIZMLARI

tonkie nanoplenki, mejfaznaya difuziya, ionnaya implantatsiya, nanogeterostruktury, termicheskiy otji, silitsidnye fazy, monoatomnyy sloy, fotoelektronnaya emsiya, plazmonnye vozbujdeniya.

Mualliflar

  • З.А. ИСАХАНОВ Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз, Ташкент, Узбекистан, Uzbekistan
  • Б. УМИРЗАКОВ Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан, Uzbekistan
  • Ёкуб ЭРГАШОВ Национальный университет Узбекистана имени М.Улугбека, Ташкент, Узбекистан, Uzbekistan
  • Р.M. Ёркулов Каршинский университет экономики и педагогики, Карши, Узбекистан, Uzbekistan
  • М.М. Махмудов Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз, Ташкент, Узбекистан, Uzbekistan

Ushbu ishda Si/Al(111), Si/Cu(111), Ge/Al(111) va Ge/Cu(111) nanogeterosistemalarida fazalararo chegaralarning shakllanishi
va elektron tuzilishining kompleks tadqiqi amalga oshirildi. Kremniy va germaniyning yupqa plyonkalari yuqori vakuum sharoitida
o‘tqizilib, so‘nggi termik ishlov berildi. Tarkib, tuzilish va elektron xossalarining tahlili Oje-elektron spektroskopiyasi,
elektronlarning xarakaterlik energiya yo‘qotishlari spektroskopiyasi va ultrabinafsha fotoelektron spektroskopiyasi usullari
yordamida olib borildi.

##plugins.generic.recommendByAuthor.heading##