OBTAINING THIN CONSISTENT LAYERS ON THE SURFACE OF CAF2 FOR THE FORMATION OF IIIBV FILMS
Downloads
Thin (nanosized) matching transition layers were created by low-energy ion bombardment at the interface between the
GaAs/CaF 2 and GaP/CaF 2 systems. It has been found that the most efficient transition layer is formed in the Sr+ ion
implantation phase followed by heating at Т=900 K. Auger electron spectroscopy in combination with surface etching with
Ar+ ions was used to study the depth distribution profiles of Sr atoms in CaF 2 (111).
1. Величко А.А., Илюшин В.А., Филимонова Н.И. Получение структур CaF 2 /Si(100) методом твердофазной
эпитаксии. Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь. № 1 (25), 2012, С. 47-51.
2. Щербаков В.Д. Люминесцентная спектроскопия Mn2+ в SrF2. Физико-математи-ческие науки. Том 157, кн. 4,
2015, С. 172-181.
3. Umirzakov B.E., Donaev S.B. Оn the creation of ordered nuclei by ion bombardment for obtaining nanoscale Si structures
on the surface of CaF2 films (2017) Journal of Surface Investigation, 11 (4), pp. 746-748.
4. Pak Аlexandra M., Ermakova Julia A., Kuznetsov V.Sergey, Ryabova V.Anastasiya, Pominova V. Darya, Voronov
V.Valerii. Efficient visible range SrF 2 : Yb: Er-and SrF 2 : Yb: Tm-based up-conversion luminophores. Journal of Fluorine
Chemistry. 2017, (194), рр. 16-22.
5. Умирзаков Б.Е., Донаев С.Б., Мустафаева Н.М. Электронные и оптические свойства тонких пленок
GaAlAs/GaAs. Журнал технической физики, 2019, том 89, вып. 10, С. 1589-1591 .
6. Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Рябоштан Ю.Л., Багаев Т.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А.,
Васильев М.Г. Сравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/ALGaAs, полученных в условиях мос-
гидридной эпитаксии. неорганические материалы, 2019, том 55, № 4. С. 345–349.
7. Умирзаков Б.Е., Ашуров Р.Х., Донаев С.Б.. Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si,
созданных на поверхности CaF 2 . Журнал технической физики, 2019, том 89, вып. 2, С. 264-267.
8. Соловьёв Я.А., В.А. Пилипенко. Влияние температуры быстрой термической обработки на электрофизические
свойства пленок никеля на кремнии. ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» (г.
Минск, Республика Беларусь). 2020, №. 18 (1), С. 81-88.
9. С.Б. Донаев. Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi 2 методом ионной имплантации.
Письма в ЖТФ, 2020, том 46, вып. 16, С. 16-18.
10. Ушаков С.Н., Усламина М.А., Пыненков А.А., Мишкин В.П., Нищев К.Н., Кузнецов С.В., Чернова Е.В., Федоров
П.П.. Выращивание и физические свойства монокристаллов CaSrBaF 6 . Конденсированные среды и межфазные
границы. 2021, 23(1), С. 101-107.
11. Velichko A.A., Krupin A.Y U., Filimonova N.I., Ilyushin V.A. Effect of the Growth Modes of CaF2/(Si +
CaF 2 )/CaF 2 /Si(111) Heterostructures on Their Photoluminescence Spectrum. Journal of Surface Investigation: X-ray,
Synchrotron and Neutron Techniques volume 15, 2021, pp. 424 – 429.
12. Руденко И.Е., Величко А.А., Крупин А.Ю., Филимонова Н.И., Илюшин В.А.. Получение многослойных
периодических структур СaF 2 /Si/CaF 2 /Si(111), обладающих фотолюминесценцией в видимой области спектра.
Tехнические науки. № 3 (52), 2021, C. 44-50.
13. Зиновьев В.А., Кацюба А.В., Володин В.А., Зиновьева А.Ф., Черкова С.Г., Смагина Ж.В., Двуреченский А.В.,
Крупин А.Ю., Бородавченко О.М., Живулько В.Д., Мудрый А.В.. Атомная структура и оптические свойства
слоев CaSi 2 , выращенных на CaF 2 /Si-подложках. Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, вып. 9, С.
725-728.
14. Усманов Ж.И., Абдуллаев М.Ш. Совершенствование полупроводниковых устройств. Universum: технические
науки: электрон. научн. журн. 2022, 4(97).
15. Девицкий О.В., Захаров А.А., Лунин Л.С., Сысоев И.А., Пащенко А.С., Вакалов Д.С., Чапура О.М.. Влияние
условий магнетронного распыления на структуру и морфологию поверхности тонких пленок InxGa1–xAs
на подложке GaAs(100). Конденсированные среды и межфазные границы. 2022; 24(3): C. 300–305.
Copyright (c) 2026 «ACTA NUUz»

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.




.jpg)

1.png)




