ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ СОГЛАСУЮЩИХСЯ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ CAF2 ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК АIIIBV
Методом низкоэнергетической ионной бомбардировки на границе системы GaAs/CaF 2 и GaР/CaF 2 созданы тонкие
(наноразмерные) согласующиеся переходные слои. Установлено, что наиболее эффективный переходной слой
формируется в сулое имплантации ионов Sr+ с последующим прогревом при Т=900 К. Методом оже-электронной
спектроскопии в сочетание с травлением поверхности ионами Ar+ изучены профили распределения атомов Sr по
глубине CaF 2 (111).
1. Величко А.А., Илюшин В.А., Филимонова Н.И. Получение структур CaF 2 /Si(100) методом твердофазной
эпитаксии. Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь. № 1 (25), 2012, С. 47-51.
2. Щербаков В.Д. Люминесцентная спектроскопия Mn2+ в SrF2. Физико-математи-ческие науки. Том 157, кн. 4,
2015, С. 172-181.
3. Umirzakov B.E., Donaev S.B. Оn the creation of ordered nuclei by ion bombardment for obtaining nanoscale Si structures
on the surface of CaF2 films (2017) Journal of Surface Investigation, 11 (4), pp. 746-748.
4. Pak Аlexandra M., Ermakova Julia A., Kuznetsov V.Sergey, Ryabova V.Anastasiya, Pominova V. Darya, Voronov
V.Valerii. Efficient visible range SrF 2 : Yb: Er-and SrF 2 : Yb: Tm-based up-conversion luminophores. Journal of Fluorine
Chemistry. 2017, (194), рр. 16-22.
5. Умирзаков Б.Е., Донаев С.Б., Мустафаева Н.М. Электронные и оптические свойства тонких пленок
GaAlAs/GaAs. Журнал технической физики, 2019, том 89, вып. 10, С. 1589-1591 .
6. Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Рябоштан Ю.Л., Багаев Т.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А.,
Васильев М.Г. Сравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/ALGaAs, полученных в условиях мос-
гидридной эпитаксии. неорганические материалы, 2019, том 55, № 4. С. 345–349.
7. Умирзаков Б.Е., Ашуров Р.Х., Донаев С.Б.. Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si,
созданных на поверхности CaF 2 . Журнал технической физики, 2019, том 89, вып. 2, С. 264-267.
8. Соловьёв Я.А., В.А. Пилипенко. Влияние температуры быстрой термической обработки на электрофизические
свойства пленок никеля на кремнии. ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» (г.
Минск, Республика Беларусь). 2020, №. 18 (1), С. 81-88.
9. С.Б. Донаев. Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi 2 методом ионной имплантации.
Письма в ЖТФ, 2020, том 46, вып. 16, С. 16-18.
10. Ушаков С.Н., Усламина М.А., Пыненков А.А., Мишкин В.П., Нищев К.Н., Кузнецов С.В., Чернова Е.В., Федоров
П.П.. Выращивание и физические свойства монокристаллов CaSrBaF 6 . Конденсированные среды и межфазные
границы. 2021, 23(1), С. 101-107.
11. Velichko A.A., Krupin A.Y U., Filimonova N.I., Ilyushin V.A. Effect of the Growth Modes of CaF2/(Si +
CaF 2 )/CaF 2 /Si(111) Heterostructures on Their Photoluminescence Spectrum. Journal of Surface Investigation: X-ray,
Synchrotron and Neutron Techniques volume 15, 2021, pp. 424 – 429.
12. Руденко И.Е., Величко А.А., Крупин А.Ю., Филимонова Н.И., Илюшин В.А.. Получение многослойных
периодических структур СaF 2 /Si/CaF 2 /Si(111), обладающих фотолюминесценцией в видимой области спектра.
Tехнические науки. № 3 (52), 2021, C. 44-50.
13. Зиновьев В.А., Кацюба А.В., Володин В.А., Зиновьева А.Ф., Черкова С.Г., Смагина Ж.В., Двуреченский А.В.,
Крупин А.Ю., Бородавченко О.М., Живулько В.Д., Мудрый А.В.. Атомная структура и оптические свойства
слоев CaSi 2 , выращенных на CaF 2 /Si-подложках. Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, вып. 9, С.
725-728.
14. Усманов Ж.И., Абдуллаев М.Ш. Совершенствование полупроводниковых устройств. Universum: технические
науки: электрон. научн. журн. 2022, 4(97).
15. Девицкий О.В., Захаров А.А., Лунин Л.С., Сысоев И.А., Пащенко А.С., Вакалов Д.С., Чапура О.М.. Влияние
условий магнетронного распыления на структуру и морфологию поверхности тонких пленок InxGa1–xAs
на подложке GaAs(100). Конденсированные среды и межфазные границы. 2022; 24(3): C. 300–305.
Copyright (c) 2026 «ВЕСТНИК НУУз»
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
.jpg)
2.png)
