OBTAINING AND STUDYING THE PHYSICAL PROPERTIES OF NANOSIZED CoSi 2 PHASES IN THE SURFACE REGION OF SILICON
By measuring the intensity of light passing through the studied samples of different frequencies and ultraviolet photoelectron
spectroscopy, the band gap Eg of nanocrystalline CoSi 2 phases created on the surface and in the near-surface region of Si by
ion implantation in combination with annealing was determined. Nanosized CoSi 2 phases on the silicon surface were obtained
by implanting Co ions with an energy E 0 = 1 keV; and in the near-surface region (at a depth of 15–16 nm) by implantation of
ions with Е 0 = 15 keV.Post-implantation annealing was mainly carried out by thermal heating. It is shown that nanocrystalline
CoSi 2 phases both on the surface and in the subsurface layer crystallize into a cubic lattice. It has been established that Eg of
nanocrystalline phases of cobalt silicides, depending on their size, can vary within 0.6–0.9 eV.
1. Colinge J.P. // Material Research Society Proceedings. 1985. V. 35. P. 653. http://dx.doi.org/doi 10.1557/ PROC-35-653.
2. Rudakov V.I., Denisenko Y.I., Naumov V.V., Simakin S.G. // Russian Microelectronics. V. 40. Issue 6. P. 389. doi
10.1134/S1063739711060102.
3. Алтухов А.А., Жирнов В.В. Анализ морфологии и стехиометрии пленок CoSi/Si(100), полученных методами
ТФЭ и РЭ // Материалы II-го Всесоюзного межотраслевого совещания “Тонкие пленки в электронике”: Москва-
Ижевск. 1991. С. 15.
4. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Галль Н.Р., Молоцов С.Л., Вялых Д.В. // ФТТ. 2003. Т.45. Вып. 8. С. 1519.
5. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Курбанов Х.Х. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед.
2011. № 7. С. 91.
6. Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2014.
№ 4. С. 24.
7. Муродкобилов Д.М., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон.
исслед. 2013. № 10. С. 58.
8. Сердобинцев А.А., Веселов А.Г., Кирясова О.А. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 4. С. 496.
9. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Мурадкабилов Д.М., Данаев С.Б. // ДАН РУз. 2011. № 4. С. 22.
10. Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И. и др. Ионно-лучевая инженерия наноматериалов на основе кремния
// Труды XXI межд. конф. ВИП-2013. Т. 2. С. 31.
Copyright (c) 2026 «ACTA NUUz»
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.
.jpg)
1.png)
