KREMNIY SIRT YUZASIDA ULTRAYUPQA OMIK KONTAKLAR YARATISH UCHUN ION IMPLANTASINI QO‘LLASH
##submission.downloads##
Ushbu maqolada aniqlanishicha, bu tizimlarda qarshilikning past qiymati ham sirtga yaqin qatlamning yuqori darajada
legirlanishi, hamda Shottki to‘sig‘ining balandligi pastligi bilan bog‘liq. Shunday qilib, Si ga Ba+ ionlarining dastlabki
implantatsiyasi natijasida yetarlicha ishonchli omik kontaktlarni olish imkonini beradi.
1. Walden R.H.еt.al The buried Channel Coupled Device.// Bell. Sist.Tech.J., - 1972. - V.51. - P. 180-183.
2. Wittmer M. Silicide contacts for shallow junction devices. //Thin SoIid FiIms. - 1983. - V.107. - Р. 99-110.
3. "Мелкие переходы для солнечных батарей, изготовленных в короне разряда в атмосфере BF 3 ", R.Wicher, IEEE,
Photovoltaic Specialists Conf. - 1975. - 420 p.
4. Tusa J.E. Di, Parpia J.M. Quantum transport in ultrathin CoSi 2 epitaxial films. // Appl. Phys. Lett. – 1990. - V.57 (5). -
P.452-454.
5. Ташатов А.К. Применение низкоэнергетической ионной имплантации для создания контактов к ультратонким
пленкам.// Украинский физический журнал. - Киев, 2001. - №3 (46). – С. 383-385.
6. Ergashov Y.S., Tashmukhamedova D.A., Rabbimov E. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron
Techniques. -Russia, 2015, -Vol. 9,№2,-P.350–354. © Pleiades Publishing, Ltd.
7. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А. Электронная спектроскопия нанопленок и наноструктур, созданных ионной
имплантацией. – Ташкент: ТашГТУ, 2004. – 147 с.
8. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Tashatov A.K., Mustafoeva N.M., Muradkabilov D.M. // Effect of the
Disordering of Thin Surface Layers on the Electronic and Optical Properties of Si(111) // Semiconductors, 2020, 54(11),
стр. 1424-1429
9. Donaev S.B. Tashatov A.K. Mustafoeva N.M. // Electronic and Optical Properties of GaAlAs/GaAs thin films // Technical
Phusics, Vol.64, Issue 10(2019), pp.1506-1508
10. Tashatov A.K. Mustafoeva N.M. // Surface Morphology of NiSi 2 /Si Films Obtained by the Method of Solid-Phase
Deposition // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol.14, No 1, pp. 81-84.
11. Ташатов А.К. Мустафоева Н.М. // Морфология, состав и структура поверхности пленок NiSi 2 /Si полученных
методом твердофазной эпитаксии // Узбекиский физический журнал, 23(2), 2021. C.55-60
Mulkiiyat (c) 2026 «O‘zMU XABARLARI»
Ushbu ish quyidagi litsenziya asosida ruxsatlangan Kreativ Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International litsenziyasi asosida bu ish ruxsatlangan..
.jpg)
.png)
